2018年8月3日，科技部發(fā)布《關于國家重點研發(fā)計劃“智能機器人”等重點專項2018年度項目申報指南的通知》（國科發(fā)資[2018]108號），包含智能機器人、現(xiàn)代服務業(yè)共性關鍵技術研發(fā)及應用示范、可再生能源與氫能技術、綜合交通運輸與智能交通、網絡協(xié)同制造和智能工廠、核安全與先進核能技術、制造基礎技術與關鍵部件7個重點專項。其中，10項先進傳感器課題被列入“制造基礎技術與關鍵部件”專項中。 各個研究課題的研究內容和考核指標具體如下： 1、高性能硅壓力、加速度、角速度傳感器前沿技術（基礎前沿技術類） 研究內容：研究新型諧振式硅傳感器敏感原理和結構；研究傳感器非線性效應、耦合效應、溫度效應及工藝誤差影響；研究傳感器優(yōu)化設計、制造工藝精確控制、低應力封裝等關鍵技術；開發(fā)閉環(huán)信號檢測與控制電路系統(tǒng)集成技術；研制高精度硅壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器原型器件，并在流程工業(yè)與機器人領域試用驗證。 考核指標：壓力傳感器量程0~1MPa,精度優(yōu)于0.01%FS；加速度傳感器量程±15g，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于1μg；角速度傳感器量程±200°/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1°/h。 2、基于量子效應的微納傳感器前沿技術（基礎前沿技術類） 研究內容：研究基于量子效應的芯片式角速度傳感器、磁場傳感器設計方法；研究傳感器電子自旋-核自旋相互作用機理、溫度效應；研究諧振頻率控制、微型腔室制備、真空封裝等關鍵技術；開發(fā)激光器、探測器、處理電路系統(tǒng)集成技術；研制高精度角速度傳感器、磁場傳感器原型器件，并在重大技術裝備中試用驗證。 考核指標：角速度傳感器表頭體積≤100cm3，量程±200°/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1°/h；磁場傳感器表頭體積≤10cm3，靈敏度優(yōu)于10fT/Hz1/2。 3、無線無源微納傳感器前沿技術（基礎前沿技術類） 研究內容：研究微型化聲表面波（SAW）、電感-電容（LC）無線傳感器設計；研究傳感器多參數(shù)敏感的耦合效應；研究傳感器結構優(yōu)化設計、曲面襯底上傳感器制備工藝、封裝、工業(yè)環(huán)境無線信號傳輸?shù)汝P鍵技術；開發(fā)信號調制解調技術及處理電路系統(tǒng)集成技術；研制SAW和LC多參數(shù)檢測傳感器原型器件，并在燃氣輪機主軸、軸承健康狀況監(jiān)測中試用驗證。 考核指標：SAW傳感器：溫度量程-40℃~+1000℃，誤差±1%；應變量程±3000με，誤差±1%；氣壓量程0~4MPa，誤差±1%。LC傳感器：溫度量程-20℃~+120℃，誤差±1%；應變量程±1000με，誤差±1%；振動量程±6g，誤差±1%。 4、微納傳感器與電路協(xié)同設計技術及設計工具（共性關鍵技術類） 研究內容：建立熱/機械/電學多物理場耦合模型、硅表面加工與體加工工藝模型、閉環(huán)控制傳感器宏模型；研究具有完全自主知識產權、包含器件級、工藝級、系統(tǒng)級設計功能的微納傳感器綜合設計工具；研究微納傳感器與電路協(xié)同設計技術，并實現(xiàn)與集成電路（LC）設計工具的無縫連接；形成集成傳感器知識產權（IP），IP經過生產線驗證。 考核指標：器件級耦合分析自由度≥1*107；工藝級仿真與實驗偏差優(yōu)于5%；系統(tǒng)級仿真與實驗偏差優(yōu)于10%；閉環(huán)控制集成傳感器IP不少于3種，軟件銷售≥10套。 5、微納傳感器與電路單片集成工藝技術及平臺（共性關鍵技術類） 研究內容：研究在同一芯片上制造微納傳感器與IC的工藝技術；以互補-金屬-氧化物-硅（CMOS）工藝線為基礎，研究與CMOS工藝兼容的微納傳感器表面加工、體加工、硅直接鍵合加工等關鍵技術；建立可 量產的微納傳感器與電路單片集成制造技術并形成標準制程規(guī)范，實現(xiàn)單片集成微納傳感器規(guī)?；a。 考核指標：圓片直徑≥150mm，單片集成傳感器成品率≥80%，成套制程規(guī)范或標準≥3項；服務用戶數(shù)≥3家，開發(fā)單片集成傳感器不少于3種，生產能力≥5000片/年，銷售單片集成傳感器≥100萬只。 6、圓片級真空封裝及其測試技術于平臺（共性關鍵技術類） 研究內容：研究微機電系統(tǒng)（MEMS）圓片級真空封裝設計技術；研究圓片級多層布線、金屬和 絕緣薄膜平坦化技術、低溫鍵合、吸氣劑生長及激活、真空測試等關鍵技術；研究可量產的圓片級真空封裝技術并形成標準制程規(guī)范，實現(xiàn)多種器件規(guī)?；瘓A片級真空封裝。 考核指標：圓片直徑≥150mm，圓片級封裝真空度≤0.1Pa，漏率≤5.0*10-12Pa·m3/s，真空封裝成品率≥90%，真空封裝器件種類≥3種；成套標準制程規(guī)范≥3個，服務用戶數(shù)≥3個，生產能力≥5000片/年，銷售量≥1萬只。 7、高溫硅壓力傳感器關鍵技術及應用（應用示范類） 研究內容：研究高可靠性MEMS高溫硅壓力傳感器結構優(yōu)化技術；研究低應力無引線封裝、溫度補償、高溫專用電路（ASIC）芯片等關鍵技術；開發(fā)測控接口電路；實現(xiàn)批量化生產并在重大技術裝備中應用。 考核指標：溫度范圍-55℃~+225℃，量程0~200kPa、0~60MPa，精度優(yōu)于0.25%FS，零點漂移優(yōu)于2%FS@100http://www.most.gov.cn/mostinfo/xinxifenlei/fgzc/gfxwj/gfxwj2018/201808/t20180803_141054.htm 項目申報指南可見附件。 附件： “制造基礎技術與關鍵部件”重點專項2018年度項目申報指南（指南編制專家名單、形式審查條件要求）